Eugene K.

Но транс очень рекомендуется 5К, а также драйвер, способный раскачать в А2. 3К для лампы в Ri=1.2К (а на самом деле больше, 1,5К в рабочей точке) это экстремизм

Не обязательно.

Я использовал в режиме 500В 100-150мА. Трансформатор 5К. По звуку и характеру похожа на 300В.

Да и дизайн тоже того... Вместо минимализма, чистых линий, минимальной глубины, цыганские "короны"...

А вот с чего он дизайн "утянул"

Очень сложно заставить понижающий трансформатор не резонировать. Это всегда большая проблема. Причем, чем меньше Ri лампы и чем меньше активные обмоток, тем все становится хуже, т.к. добротность обратно пропорциональна R, а остальное под корнем. Та же самая история у силовых трансформаторов, они этим резонансом "звенят", при каждом закрытии диода. Всем знакомый фон в виде треска. Именно это лечат параллельным вторичной обмотке конденсатором. Лечится обычно тем, что срез по емкости и Ls делаются ниже по частоте, чем резонанс вторичной обмотки. И все становится хорошо.

Тут ошибка. Там другая емкость резонирует, исключительно емкость вторичной обмотки, а не приведенная.

Насколько я помню из своих измерений, в районе 300пФ.

ПОложительно, там, где это нужно.

Есть. Лучше сначала привести уровень первички так, как буд-то она стала вторичкой, а уровень "1" это полное напряжение вторичной. И потом разделить полученное значение на ТРИ, т.к. втричная обмотка Однослойная. Не важно, что она состоит из семи параллельных слоев, они рассматриваются как один, т.е. 820*1192=0,977мкФ Как видим, емкость, по сравнению с тремя Одинаковыми первичными обмотками, существенно больше. (1192 против 805), и на первичной картина еще хуже.

Эквивалентная схема: АЧХ: Что является критерием опримального выбора параметров? То есть - при какой комбинации CI, CII и Ls получаются наилучшие результаты? Достаточно просто понять, что есть Три параметра 1. Частота среза, определяющаяся t=Ri*CI, т.е. т.н. "срезом по емкости" Она в рассматриваемом примере 45кГц. (Ri=2.5К, СI=1700пФ, плюс параллельно ей нагрузка 13,5К 2. Частота среза по индуктивности рассеяния t=Ls/(Z1+Ri) , при L=44мГн получаем 57кГц. 3. Частота резонанса CII с Ls, выше мы вычислили, 44кГц. Наилучший случ

Про добротность резонанса Q=1/R *SQRT (Ls/CII) Тут R ни что иное, как выходное сопротивление усилителя. Обычно оно около 2Ом. Ls, приведенное ко вторичной обмотке, в предлагаемой раскладке получается 13мкГн CII=1мК Таким образом, Q=0,5*SQRT(13/1)=1.83. Совсем неплохо Fr=1/6.28(Ls*CII)=1/(6,28*13E-6*1E-6)=44кГц.

То есть поскольку для однослойной обмотки емкость на экран равна Ce/3, для вторичной обмотки получается так: 805*Ce здесь Се=0.00884*lср*b*E/c Lср- длина витка (мм) b- ширина слоя, (мм) E – диэлектрическая проницаемость изоляции (обычно 2…2,5) С – толщина изоляции, мм. Емкость в пФ. На рассматриваемом примере при межсекционной изоляции 0,5мм Ce=1200пФ. Распеределенная емкость однослойной обмотки равна нулю. То есть полная емкость вторичной обмотки - CII=0,966мК. В случае экранов между секциями картина получается такая:

Давайте так. Прежде всего с теорией и терминологией определимся. 1. Все емкости в трансформаторе приводятся к стандартной Т - образной схеме замещения. То есть - к CI, параллельной источнику сигнала, и CII, параллельной нагрузке, т.е. вот к такой: 2. Есть две составляющих емкости секции обмотки - Распределенная и Емкость на экран (она же динамическая) 3. Распределенная емкость зависит от геометрии обмотки - длины витка, ширины намотки, толщины межслойной изоляции, ее диэлектрической проницаемости и Количества слоев. Чем больше слоев, тем меньше распределенная емкос

Да, переворачивать.