| Цитата |
|---|
| Здесь Вам и карты в руки. |
В них используется ИОН на ширине запрещенной зоны - диод Видлара или ячейка Брокоу. ИСН на основе стабилитрона – существенно хуже, его оптимальные хар-ки находятся в районе 6-7В.
При отклонении от этого значения в любую сторону, резко падает КС и растет микроплазменный шум.
| Цитата |
|---|
| Меня больше интересует в чем я промахнулся при прослушивании 78хх vs. TR+Stab. |
Тем, что надо использовать стабилизаторы семейства LM317.
| Цитата |
|---|
| Но сдается мне, что встречал ник - Vasil Tech, на форуме - "немного звукотехники и много воды". |
Это кто?
Лучшими маломощными (экономичными) ИОН, на сегодняшний день, являются выполненные на полевых структурах (т.н. eXtra Field Effect Transistor). Они обеспечивает источнику опорного напряжения низкий шум, малый ток потребления, низкий ТКН и очень высокую долговременную стабильность. При допустимости больших токов потребления - доли-единицы миллиампер - преимущество переходит к ИОН на ширине запрещенной зоны (AD780, TL431), а если есть достаточное напряжение питания (выше 8...10В) и не жалко единиц миллиампер - стабилитроны с захороненным слоем (AD586/7, LM399). Светодиод на этом фоне - абсолютно неконкурентоспособен ни по стабильности, ни по фликкер-шуму. Только по цене.
[small]Отредактировано: 30-12-2006, 17:57[/small]