Мощные германиевые транзисторы являются неширокополосными приборами

Это частенько дает им повод для подвозбудов и грязи в звуке. В честь нового года маленькая хитрость

Берем классический пример, выход на двух транзисторах, один коллектором подключен к отрицательному полюсу питанию, базой к фазорасщепителю (например нашему любимому трансформатору или какой-либо вариации дифкаскада), эмиттером на выход, второй подключен коллектором к выходу, базой к ФР а эмиттер опирается на общий провод. Нарпшивается очевиднейшее решение, нигде, однако, в заводских схемах тех времен мною невиденное. Коллектор транзистора, подключенный к питающему напряжению должен быть заблокирован от ВЧ и помех качественной емкостью с резонансом раза в 2-4 и более ниже граничного диапазона транзистора. Практически это 1-3нф. То же с коллектором второго транзистора, но раз на него идет непосредственно сигнал, нужно резать аккуратно не ниже 100кгц. Т.е 500 максимум 1000пф.
Вот как это выглядит в Кертинге для транзисторов в корпусе ТО3 с коллектором на корпусе. Блокирующие емкости просто поджаты под гайку и сведены кратчайшим путем к земле. Конденсаторы используем самые качественные, что можно взять с минимальнейшими паразитными показателями в мГц диапазоне, и дружественные к звуку. На фото силвер мика слюда в серебре и фольговые ERO, подойдут также подобные фольговые для вч цепей. Керамику, например современную np0 крайне аккуратно, я не пробовал, зная ее недружелюбность к звуку, испытывайте сами.