На 174 Во блин, заставляете меня в историю углубляться, которая у меня уже давно позади ... хотя в коллекции и лежит германиевый транзистор П3A 1957 года производства, и помню как собирал всякие штуки на МП12 ... ну да ладно:
Цитата
The amplification ability of germanium transistors varies greatly as temperatures rise above room level. Heat dissipation in complex commercial and military electronic equipment is a major problem...and one which has so far limited the application of germanium transistors. The new silicon transistors operate with little change up to 150 Centigrade (302 Fahrenheit), well above the temperature of boiling water.
Цитата
Под термостабильностью (транзисторов) я понимаю неизменность статического коэффициента передачи тока при изменении температуры и как следствиевлияние мгновенной рассеиваемой мощности на параметры усилительного элемента.
Вы хоть сами то поняли что сказали? Влияние мгновенно рассеиваемой мощности на параметры усилительного элемента - это еще понятно, но как это может быть следствием неизменности статического коэффициента передачи тока от температуры - то есть какое влияние коэффициент передачи оказывает на мгновенно рассеиваемую мощность? Мощность, рассеиваемая между коллектором и эмиттером, определяется падением напряжения между ними и током, ну если хотите сопротивлением и током ... при чем тут влияние на этот процесс коэффициента усиления? Если мы говорим о не полностью открытом транзисторе, то нет разницы между кремнием и германием - а если об открытом, то на германиевом транзисторе рассеивается меньшая относительная мощность, но при чем тут коэффициент усиления?
Гость
09-09-2003 09:46:42
> то есть какое влияние коэффициент передачи оказывает на мгновенно рассеиваемую мощность?
Наоборот. Влияние мощности на коэффициент передачи. Или я где то писал по другому?
Цитирую себя:
>Под термостабильностью (транзисторов) я понимаю неизменность статического коэффициента передачи тока при изменении температуры и как следствие влияние мгновенной рассеиваемой мощности на параметры усилительного элемента.
>The amplification ability of germanium transistors varies greatly as temperatures rise above room level. Heat dissipation in complex commercial and military electronic equipment is a major problem...and one which has so far limited the application of germanium transistors. The new silicon transistors operate with little change up to 150 Centigrade (302 Fahrenheit), well above the temperature of boiling water.
Здесь лишь говорится о допустимых температурах германиевых и крмниевых кристалов, чего никто и не оспаривает.
совсем ушел
Пользователь
Сообщений:
09-09-2003 11:15:36
На 176 Ну может мы с вами мыслим как-то по-разному - я из вашей фразы понял что влияние мгновенно рассеиваемой мощности на параметры усилительного тракта - это следствие неизменности коэффициента усиления ... а не наоборот ...
Цитата
Здесь лишь говорится о допустимых температурах германиевых и крмниевых кристалов, чего никто и не оспаривает
Учите английский, пригодится Перевожу дословно - Усилительная способность германиевых транзисторов сильно меняется когда температура поднимается выше комнатной. ... Новые кремниевые транзисторы работают с небольшими изменениями [усилительной способности - прим GmcG] до температуры 150 градусов Цельсия ... Да до фига таких ссылок, вот к примеру зависимость усиления по мощности от температуры корпуса у кремниевого транзистора
Гость
09-09-2003 12:12:45
>Перевожу дословно - Усилительная способность германиевых транзисторов сильно меняется когда температура поднимается выше комнатной. ... Новые кремниевые транзисторы работают с небольшими изменениями [усилительной способности - прим GmcG] до температуры 150 градусов Цельсия ...
Вовсе из текста не следует неизменности параметров. Там лишь говориться о способности работать кремния до 150 гр. цельсия, тогда как возможности германия ограничены лишь 85 гр. цельсия.
Более того здесь говориться лишь о мощности:
>The amplification ability of germanium transistors varies greatly as temperatures rise above room level.
Потому как при возростании температуры корпуса с 20 градусов до 55 предельная рассеиваемая мощность снижается в 2 раза, тогда как для кремния лишь на 20%.
И говориться здесь лишь об этом, а о коэффициентк передачи - ни слова.
Ссылка не работает.
Андрей Судоров
Пользователь
Сообщений:
09-09-2003 16:13:15
Ge vs. Si - предлагаю завестись ещё на"Прямонакальные лампы против косвенных" или кенотроны в выпрямителе против пп. диодов
Kisa _AG
Пользователь
Сообщений:
09-09-2003 20:28:28
А еще тунельные диоды vs все прочие усилительные элементы. У них же ног меньше, значит и искажений меньше будет:)))))))
Игорь Бабайцев
Пользователь
Сообщений:
09-09-2003 22:10:39
Gordon, а все равно лампа лучше, чем транзистор, сколько- бы ссылок Вы не приводили. Люди слушают ушами и душой, а не ссылками. Вы мне немножко напоминаете человека, который в Консерватории во время исполнения 5й Чайковского ходил по рядам с предвыборными плакатами. С уважением И.Д.
Вася Вологодский
Пользователь
Сообщений:
10-09-2003 00:35:49
... и дважды два - все равно пять, "сколько- бы ссылок Вы не приводили". Маленькие зеленые человечки не дадут Игорю Бабайцеву соврать, - они ходят и ходят по клавиатуре компьютера с плакатами "А олени - лучше!" .
Андрей Ворожцов
Пользователь
Сообщений:
10-09-2003 00:55:59
Да будет вам ребята, отлично ведь понимаете что спор ни о чем.....
Гость
10-09-2003 11:36:48
на 182
Вы всё равно не убедите ни кого, что УНЧ построенный по идеалогии ОУ будет лучше полноценного звукового усилителя.
Перевожу дословно - Усилительная способность германиевых транзисторов сильно меняется когда температура поднимается выше комнатной. ... Новые кремниевые транзисторы работают с небольшими изменениями [усилительной способности - прим GmcG] до температуры 150 градусов Цельсия ...