Практическая реализация ЭМОС в сабвуфере

Пардон, 1/5 - это в зоне максимума глубины ОС, а вне ОС (выше 200 Гц) подавления вообще не будет.

Если бы ДГ по цепи ООС воспроизводила больший сигнал, чем тот, который воспринял микрофон или датчик - неизбежно возникла бы генерация (петлевой коэффициент усиления больше 1). И шумоподавление будет на выходе АС (а не во всей комнате )) в полосе пропускания САБВУФЕРА.

Для ФИ ЭМОС сделать в принципе невозможно

НА 78
Датчик представляет собой транзисторный потребитель тока с задающим опорный (входной) ток, резонансным LC контуром - в качестве измерительной эмиттерной нагрузки. При приближении металлов к реагирующему колебательному контуру происходит изменение амплитуды резонанса, но не частоты ВЧ тока, из-за компенсации постоянной времени периода колебаний компенсационным опорным смещением тока в цепи эмиттера. На выходе транзистора (открытый коллектор) ВЧ составляющая полностью интегрируется конденсатором и преобразуется в постоянную составляющую входного (потребляемого) тока – напряжения. Таким образом, данный датчик является параметрическим широкополосным УПТ в виде динамического потребителя тока с открытым коллектором, где для смещения рабочего напряжения (тока) может применяться внешняя цепь, состоящая из источника напряжения и нагрузочного резистора (но в этом случае характеристика преобразования у датчика будет гистерезисной), в случае же применения в качестве рабочего (нагрузочного) смещения источника постоянного тока, описанный датчик положения превращается в высокоточный статический преобразователь линейного перемещения. Масштабирование динамического диапазона и коэффициента линейного преобразования при этом, осуществляется количественным значением тока нагружающего датчик, – балластного генератора тока Описанный датчик я с успехом применил в измерителе давления топлива (для стабилизации давления впрыска топлива при замкнутом управлении инжекторным бензонасосом)...