Практическая реализация ЭМОС в сабвуфере

ну точнее на датчиках ускорения, а не перемещения.
конструкции могут быть разные-
к примеру можно емкость между катушкой и магнитной системой (у многих ДГ катушка на металле.

именно ускорение важно, а не перемещение, поэтому чтобы испорченный телефон не городить и делают так ( и что твой датчик проще пъезоэлемента ?)

2 VM Medvedev и другим читателям/участникам этой ветки.
 Мои соображения по поводу нижней граничной частоты датчиков ускорения просты - ЗЯ - это ФВЧ 2-го порядка (по звуковому давлению/ускорению), а мы добавляем еще один полюс при использовании датчика с конечной нижней граничной частотой, получается 3 дифференциатора в цепи ООС, при увеличении глубины ООС устойчивость такой системы падает, вплоть до самовозбуждения на инфранизких частотах. Один из способов повышения устойчивости такой системы - метод разнесения полюсов по частоте. Соответственно, чем ниже граничная полоса датчика, тем больше запас устойчивости системы. Насчет посчитать - это проще смоделировать. Теперь об устойчивость на ВЧ (в петле ЭМОС). Рассмотрим компоненты системы, включенные в петлю - датчик, усилитель/пробразователь, частотно-избирательные цепи (фильтр), усилитель мощности, катушка ДГ/диффузор, конструктив крепления датчика.
 Существенными (для устойчивости) задержками обладают - фильтр (ФНЧ, как правило 2-го порядка), катушка ДГ/диффузор за счет конечной скорости звука в среде, жесткости диффузора (получается линия задержки + ФВЧ 1-го порядка, как минимум) и плохая конструкция крепления датчика тоже может играть роль еще одного ФНЧ 1-го порядка. Опять имеем 3 полюса, как минимум, и вдобавок линию задержки,- соответственно устойчивость системы с ЭМОС на верхней границе диапазона также ограничивает степень глубины ООС. Также надо учесть неопределенность поведения диффузора при выходе из поршневого диапазона, локальные резонансы АС и собственный резонанс датчика. Применение ИТУН, кроме преимуществ уменьшения интермодуляции, дает возможность увеличить устойчивость на ВЧ (в диапазоне действия ЭМОС) за счет уменьшения фазового сдвига в петле ООС - индуктивный характер нагрузки ИТУНа - катушки ДГ - приводит к такой форме АЧХ звена ИТУН/ДГ, что выигрыш по фазе достигает примерно 40-45 градусов. Вот такие, примерно, трудности стоят на пути реализации ЭМОС достаточной глубины. Но это оказалось не все. Выплыла еще одна проблема (решаемая). Я бы сказал, что замкнулся виток спирали - новое осознание того, с чего я начал эту ветку.
  Пока хватит.

А ВЧ это сколько ?

Я считаю, что больше 300 Гц ЭМОС уже не реально построить ! Там уже и резонансы диффузора, и корпуса, и всего что только можно, и помещение звучит.
А самое главное там человек слышит уже все !
И любые временные погрешности там слышны хорошо.
Ведь суть проблемы - большие линейные перемешения диффузора на НЧ для создания равного звкового давления с СЧ-ВЧ. Да конечно интермудуляция в широкополосной системе будет, но сам СЧ-ВЧ сигнал (мгновенный) относительно линеен (за счет малой амплитуды в малой зоне). Поэтому полосовая система - физически две головки, или виртуально на широкополосном ДГ с помощью фильтров и разных ОС.

Я думаю и микрофон и датчик ускорения 300 Гц с минимальной фазовой задержкой пропустят. Я для воздуха задержку в 10 мксек расчитал.

Не лучше в цепь ОС - предсказатель будущего на 10 мксек. ;-)))