Проясните пожалуйста , нужно ли гнаться за усилителем класса А ?, Существенная ли разница в звуке усилителя класса А и усилителя класса В ?

Это кто такие?
Понимание - это продукт рациональной деятельности...
Или же у ваших "респонзентов" как-то не так?

Именно так.

Что ж, повторю мысль на русском:
Кто такое "говорит"? Педивикия? Или эту сказку продавцы рассказывают новичкам?
Ничего не имею против г-на Мусатова и его продукции (с современной я просто не знаком), но подобные заявления требуют как минимум ссылку на авторитетный первоисточник.
при прочих равных условиях (качество схемы, изготовления, согласование с нагрузкой и т.д.) усилитель в классе "А" всегда звучит лучше. Это подтверждается практикой и согласуется с законами физики.
Возмложно, что "кривые" детали лучше работают в "кривых" режимах. Просто не надо использовать ни то, ни другое.

P.S. Г-н Археолог, пожалуйста, аккуратнее с репликами, а то Вам понадобится защита организации, корочка которой якобы имеется в Вашем кармане  

Я проектирую звуковые усилители исключительно для достижения высоких звуковых параметров. К сожалению, последние рассматриваются разными людьми в широком спектре восприятия и то, что одному кажется лучшим, другому таким не кажется. Очень много кто воспринимает лучшим звуком не точную передачу, а с красивыми искажениями. Я это не осуждаю, каждый имеет право на свой звук, меня только печалит, что это называют правильным звуком. Я это называю красивым, что бы "не осквернять чувства верующих".
Если вернуться к моей схемотехнке. Я рассматриваю различнвые виды искажений сигналов, влияющих на качество звукопередачи и стараюсь минимизировать их появление. Мало кто обращает внимание на влияние инерциально нелинейных искажений на звуковоспроизведение (memory distortion). Но именно они в наибольшей степени отвечают за натуральность звучания. Вместо этого говорят, что мы повысим глубину ООС и задавит эти искажения к нулю. Он нет. Если говорить об одном из их варианте - тепловых искажениях, то при увеличении глубины ООС девиация температуры перехода уменьшается, поскольку она пропорциональна девиации тока в большинстве схем, но и сигнал уменьшается во столько же раз, а потому, относительный уровень тепловых искажений не изменяется от глубины ООС. Но, при сверхглубокой ООС, любые внешние воздействия на кристалл будут усиливаться во много раз больше. Примером таких воздействий являются тепловые волны (ИК излучение) от соседних приборов, вибрации, которые модулируют параметры транзисторов. Поэтому я скептически отношусь к усилителями со сверхглубокой ООС.